“上午让人准备好实验场地，下午就直接开始？”

李阳想都没有想，直接答应下来。

“我看行！”

......

下午时分，李阳和钱宏远来到高通量同位素源（HFIR）实验室，对TiB??-SiC复合材料进行中子辐照耐受性验证。

李阳继续作为第一负责人，全权负责这次的验证。

“测试条件都准备好了吧？”

他一边检查实验室的各个仪器，一边问道。

进入到工作状态，钱宏远立马变得严肃，他打开工作簿，回答道。

“都准备好了！”

“热中子通量5×10????n·cm????·s????，允许有±0.3%误差带。”

“瞬发伽马辐射剂量48kGy/h，试样温度梯度利用主动冷却系统维持300→1200K......”

钱宏远没有任何疏漏，把所需要的实验条件，逐一道明。

李阳听完后，从他手中拿过工作簿，一一对照又检查了一遍，确认无误。

“可以执行！”

一切准备就绪，已经是一个小时后。

确定全部工作准备完毕，李阳下令。

“验证开始！”

话音落下，TiB??-SiC复合材料的中子辐照耐受性验证正式开始。

而随着时间一分一秒的过去，TiB??-SiC复合材料在中子辐照下，也渐渐有所变化。

初期辐照下，对比常规Zr-4合金在离位损伤峰处出现晶界氦泡聚集，继而诱发沿晶应力腐蚀开裂，裂纹扩展速率达1.8μm/h。

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